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霍爾效應(yīng)實(shí)驗(yàn)儀 HFD-HL-B

更新時間:2014-07-02  |  點(diǎn)擊率:430

霍爾效應(yīng)實(shí)驗(yàn)儀  型號:HFD-HL-B

霍耳元件因其體積小,使用簡便,測量準(zhǔn)確度,可測量交、直磁場等優(yōu)點(diǎn),已廣泛用于磁場的測量。并配以其他裝置用于位置、位移、轉(zhuǎn)速、角度等物理的測量和自動控制。本霍耳效應(yīng)實(shí)驗(yàn)儀主要幫助學(xué)生了解霍耳效應(yīng)的實(shí)驗(yàn)原理,測量霍耳元件的靈敏度,并學(xué)會用霍耳元件測量磁感應(yīng)強(qiáng)度的方法。 HFD-HL-B 型霍爾效應(yīng)實(shí)驗(yàn)儀采用了砷化鎵霍耳元件(樣品)測量。該霍耳元件具有靈敏度,線性范圍廣,溫度系數(shù)小的點(diǎn),因而實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)穩(wěn)定可靠。本儀器可用于等院校、中的基礎(chǔ)物理實(shí)驗(yàn)、性實(shí)驗(yàn)和演示實(shí)驗(yàn)。

  應(yīng)用該儀器可以成以下實(shí)驗(yàn):

  1 .在恒定直磁場中測量砷化鎵霍爾元件霍爾電壓與霍爾電的關(guān)系;

  2 .霍爾電恒定時測量砷化鎵霍爾元件在直磁場下的靈敏度。

  儀器主要參數(shù):

  1 .恒源 0 - 1.999mA 連續(xù)可調(diào);

  2 .?dāng)?shù)字電壓表 量程: 0 - 199.0mV ;

  3 .電磁鐵 磁隙內(nèi)磁場強(qiáng)度 -190mT — 190mT 連續(xù)可調(diào);

  4 .霍爾元件 砷化鎵霍爾元件,zui大作電不得過 3mA

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